10月12日記者獲悉，經(jīng)過5年的研發(fā)后，MicromemTechnologies公司(MMT)日前宣布，該公司用于射頻識別芯片RFID的MRAM(磁阻隨機存取存儲器)芯片已經(jīng)接近生產(chǎn)階段。
　　MMT公司顧問Cynthia Kuper聲稱，MMT已具備設(shè)計和制造MRAM存儲器單元的能力，Micromem公司研發(fā)團隊計劃開發(fā)96位存儲陣列，目標瞄準RFID市場的新應(yīng)用。Kuper表示，MMT當前的技術(shù)在微米級規(guī)模，并將更進一步減少，以便單元密度更加緊湊。另外，他表示MMT已解決了某些與存儲有關(guān)的關(guān)鍵瓶頸問題，包括干擾和材料疲勞。
　　據(jù)悉，其他廠商也在爭相投入MRAM技術(shù)的研發(fā)，由前摩托羅拉半導(dǎo)體部門獨立出來的Freescale半導(dǎo)體公司，已推出標準的4MbMRAM產(chǎn)品。根據(jù)Freescale表示，該公司已經(jīng)向部分客戶發(fā)布了MRAM樣片。