韓國(guó)三星電子準(zhǔn)備量產(chǎn)混載鐵電存儲(chǔ)器（FeRAM）的多功能IC卡（智能卡）邏輯芯片。三星相關(guān)負(fù)責(zé)人說(shuō)，“量產(chǎn)課題已得到解決”，但量產(chǎn)時(shí)間未予公布。并在2004年6月15日于美國(guó)檀香山開(kāi)幕的半導(dǎo)體制造技術(shù)國(guó)際會(huì)議“2004 Symposium on VLSI Technology”上公布了試產(chǎn)芯片的詳情。鐵電材料采用了配向?yàn)椋?11）的PZT。鐵電材料是利用MOCVC技術(shù)制成的。
　　此次發(fā)表的試產(chǎn)芯片除控制用邏輯電路外，在保存數(shù)據(jù)方面，配備了128KB FeRAM和8KB FeRAM閃存，在保存代碼方面，配備了384KB掩膜ROM。試產(chǎn)芯片的主要規(guī)格如下：設(shè)計(jì)工藝為180nm。工作電壓為+1.62V～+5.5V。讀寫(xiě)周期為100ns。工作時(shí)的耗電量為4mA。芯片面積為15.4mm2，F(xiàn)eRAM存儲(chǔ)單元面積為2.4μm2。采用4層金屬布線，可擦寫(xiě)次數(shù)在10的12次方以上。
　　據(jù)三星稱，通過(guò)使用FeRAM代替EEPROM，將會(huì)帶來(lái)很多優(yōu)點(diǎn)。比如，處理性能更高了，可擦寫(xiě)次數(shù)增加了，生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)單了，芯片面積縮小了。內(nèi)置EEPROM的多功能IC卡邏輯芯片的讀寫(xiě)周期較長(zhǎng)，為4ms，而且可擦寫(xiě)次數(shù)也少，在10的5次方以下。作為混載FeRAM的多功能IC卡邏輯芯片，富士通已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)。僅從國(guó)際學(xué)術(shù)會(huì)議上的技術(shù)發(fā)表來(lái)看，就會(huì)發(fā)現(xiàn)作為FeRAM的應(yīng)用領(lǐng)域，三星過(guò)去一直比較重視面向手機(jī)等領(lǐng)域的獨(dú)立應(yīng)用。在多功能IC卡等邏輯芯片中混載FeRAM，此次還是第一次技術(shù)發(fā)表。