夏普發(fā)表了可將制造成本減半的晶圓制造方法（2BO.3.1：New Wafer Technology for Crystalline Sillicon Solar Cell）。該公司已建立了使用傳送帶等的自動(dòng)化生產(chǎn)線，是“量產(chǎn)水平的技術(shù)”（發(fā)表者）。

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左側(cè)是學(xué)會(huì)會(huì)場。右側(cè)建筑是展示會(huì)場

　　制造方法如下。首先，令底板與熔化的硅接觸，使硅附著在底板表面。之后，將附著的硅剝離，并以激光切削剝離的片狀硅的周圍部分，使成合適的尺寸。而激光切削下來的硅可熔化再利用。發(fā)布時(shí)用視頻演示了制造過程，但沒有公開剝離附著硅的方法。 

　　該方法的開發(fā)歷時(shí)10年，產(chǎn)品的外形尺寸達(dá)156mm×156mm，產(chǎn)量高達(dá)1825cm2/分。每8秒鐘就可以制造一片晶圓。晶圓厚300μm。制造成本僅為現(xiàn)有鑄造法制造的約200μm厚晶圓的50％。轉(zhuǎn)換效率在2006年就已達(dá)到14.8％。現(xiàn)在的轉(zhuǎn)換效率值沒有公開，但表示，由42片晶圓組成的模塊的最大輸出功率達(dá)到了144W。（記者：河合 基伸）