1月3日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，臺(tái)積電和三星這兩大芯片代工商的制程工藝，均已提升到了5nm，更先進(jìn)的3nm也在按計(jì)劃推進(jìn)中，臺(tái)積電3nm工藝的芯片生產(chǎn)工廠更是已經(jīng)建成，計(jì)劃在今年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，明年下半年大規(guī)模量產(chǎn)。

但產(chǎn)業(yè)鏈方面最新的消息顯示，臺(tái)積電和三星3nm制程工藝的研發(fā)均遇到了挑戰(zhàn)，遇到了不同的關(guān)鍵技術(shù)瓶頸，研發(fā)進(jìn)度也不得不推遲。

臺(tái)積電CEO魏哲家此前在財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)議上透露的消息顯示，他們的3nm工藝仍將采用成熟的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)(FinFET)。而三星的3nm工藝則由不同，外媒稱(chēng)他們將采用環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)(GAA)。

目前還不清楚臺(tái)積電和三星3nm工藝研發(fā)過(guò)程中遇到的關(guān)鍵瓶頸，會(huì)對(duì)研發(fā)進(jìn)程造成多大的影響，是否會(huì)影響到最終的量產(chǎn)時(shí)間也還不得而知。

對(duì)于臺(tái)積電的3nm工藝，外媒此前在報(bào)道中稱(chēng)他們準(zhǔn)備了4波產(chǎn)能，首波產(chǎn)能中的大部分將留給多年的大客戶(hù)蘋(píng)果，后三波產(chǎn)能將被高通、英特爾、賽靈思、英偉達(dá)、AMD等廠商預(yù)訂。