RFID世界網(wǎng) >
新聞中心 >
今日話題 >
正文
將RFID寫入速度提升數(shù)千倍,這家公司怎么做到的
作者:來源網(wǎng)絡(luò)(侵權(quán)刪)
來源:RFID世界網(wǎng)
日期:2025-08-07 11:37:34
摘要:RAMXEED采用內(nèi)置FeRAM的無源RFID方案,寫入速度提升數(shù)百至數(shù)千倍、寫入循環(huán)耐久達(dá)1萬億次、能效極高,還可實現(xiàn)電池?zé)o源運行。
關(guān)鍵詞:RFID
為了深入探討RFID技術(shù)的最新進展、應(yīng)用趨勢以及面臨的挑戰(zhàn),2025年8月28日,我們將在深圳國際會展中心(寶安)9號館會場1舉辦 IOTE 2025深圳·RFID無源物聯(lián)網(wǎng)生態(tài)研討會,本次論壇旨在匯聚來自全球的RFID技術(shù)專家、學(xué)者、企業(yè)代表以及政府相關(guān)部門的人士,共同分享RFID技術(shù)的最新研究成果、應(yīng)用案例以及未來發(fā)展方向。
無論是對于RFID技術(shù)的深入研究,還是對于其在各個領(lǐng)域的實際應(yīng)用,本次論壇都將是一次難得的交流與合作機會。我們期待與各位專家、學(xué)者以及企業(yè)代表共同探討RFID技術(shù)的未來,攜手開創(chuàng)RFID技術(shù)的新篇章。
在本次論壇上,RAMXEED LIMITED亞洲市場總監(jiān)羅建將發(fā)表《無源FeRAM RFID:賦能AIOT的邊緣存儲革新》的主題演講。在這次演講中,羅總將會分享如何解決傳統(tǒng)RFID寫入慢、壽命短、功耗高等瓶頸。RAMXEED采用內(nèi)置FeRAM的無源RFID方案,寫入速度提升數(shù)百至數(shù)千倍、寫入循環(huán)耐久達(dá)1萬億次、能效極高,還可實現(xiàn)電池?zé)o源運行。這在智能制造、醫(yī)療追溯、無線傳感等場景體現(xiàn)出巨大優(yōu)勢。面向AI時代,F(xiàn)eRAM RFID可在邊緣設(shè)備中實現(xiàn)實時高頻數(shù)據(jù)采集與儲存,為智能IoT架構(gòu)注入新動能。
感興趣的觀眾,可以掃碼預(yù)約參會