產(chǎn)品詳情：

產(chǎn)品描述

C20F06BD 是一款FLASH 容量為80 kB 的8 位CPU 接觸式智能卡芯片，提供硬件DES、TRNG、CRC，適用于普通IC 卡應(yīng)用場(chǎng)合，例如，32K SIM 應(yīng)用、金融卡、付費(fèi)電視、校園卡、城市一卡通等。
COS 開(kāi)發(fā)者可以將80 kB FLASH 靈活地劃分給程序和數(shù)據(jù)。COS 可以從XDATA 訪問(wèn)到FLASH 最高端的48 kB 區(qū)域（滿足32 kB SIM 應(yīng)用的需要），而不需要使用效率較低的XDATA Bank 方式。COS 可以從CODE 訪問(wèn)到全部FLASH，因?yàn)樾酒С諧ODE Bank，從而突破了程序區(qū)的64 kB 限制。
關(guān)于 FLASH 的特性，與我們的其它兩個(gè)32K SIM 卡產(chǎn)品（C20F06-D 和C20F17A-D）相比，本芯片有一些不同：
FLASH 的擦、寫(xiě)只能按頁(yè)進(jìn)行（每頁(yè)128 字節(jié)），不能按字節(jié)寫(xiě)。而且，在每次頁(yè)寫(xiě)之前必須先擦該頁(yè)，即不支持連續(xù)頁(yè)寫(xiě)
芯片提供了頁(yè)讀操作，由硬件實(shí)現(xiàn)把 FLASH 某頁(yè)內(nèi)容復(fù)制到RAM 中
在頁(yè)讀和頁(yè)寫(xiě)操作中，硬件將 RAM 的高128 字節(jié)作為緩沖區(qū)。CPU 也可訪問(wèn)該區(qū)域
為了一般性地改寫(xiě) FLASH，推薦四步流程“頁(yè)讀->改緩沖區(qū)->頁(yè)擦->頁(yè)寫(xiě)”
值得一提的是，本芯片中 FLASH 的比特值仍然是擦為1、寫(xiě)為0。
為了便于開(kāi)發(fā)軟件，芯片內(nèi)置了硬件 DES/ TRNG/ CRC，COS 開(kāi)發(fā)者可縮減軟件代碼量和處理時(shí)間。
為了提高安全性和可靠性，芯片提供實(shí)現(xiàn)了多種硬件安全性能，例如，F(xiàn)LASH 存儲(chǔ)器指定區(qū)域擦寫(xiě)保護(hù)，高低電壓/高低頻率檢測(cè)，等等。

產(chǎn)品特征

性能
高性能 8 位CPU，兼容標(biāo)準(zhǔn)8051
- 1 條指令占用1 到3 個(gè)機(jī)器周期
- 1 個(gè)機(jī)器周期為4 個(gè)時(shí)鐘周期（典型值）
CPU 工作時(shí)鐘源可由軟件動(dòng)態(tài)配置為內(nèi)部或外部時(shí)鐘
- 內(nèi)部時(shí)鐘頻率為 8MHz 或16MHz（標(biāo)稱值）

資源
存儲(chǔ)器：
- FLASH 80 kB (128 BPS)
- RAM 2048 Bytes (位于XDATA) + 256 Bytes (位于IDATA)
- OTP 112 Bytes，用戶可編程一次
- SN 8 Bytes，芯片唯一序列號(hào)
FLASH 特性：
- 按頁(yè)擦、按頁(yè)寫(xiě)（每頁(yè)128 字節(jié)；不支持按字節(jié)寫(xiě)）
- 在頁(yè)寫(xiě)之前必須頁(yè)擦(不支持連續(xù)頁(yè)寫(xiě))
- 比特的邏輯值：擦除后為1，寫(xiě)0 后為0
- 支持頁(yè)讀，以加快讀FLASH 速度
FLASH 可以靈活地用于程序和數(shù)據(jù)：
- 支持CODE Bank，可突破64 kB 的CODE 區(qū)限制
- 從XDATA 可訪問(wèn)FLASH 最高端的48kB 區(qū)域
DES: DES 和三重DES
CRC: 16 比特CRC-CCITT
TRNG(真隨機(jī)數(shù))，滿足安全交易的需要
兩個(gè) 16 位定時(shí)器，中斷控制器

安全性
FLASH 存儲(chǔ)器指定區(qū)域擦寫(xiě)保護(hù)
WDT(看門(mén)狗)
數(shù)據(jù)加密存儲(chǔ)
高低電壓/高低頻率檢測(cè)
CLK 濾波
安全認(rèn)證目標(biāo)：EAL4+

兼容性
ISO/IEC 7816-3 接口
UART 支持ISO/IEC 7816-3 T=0 和T=1 協(xié)議，支持10 種波特率：FD = 11, 12, 13, 18, 91, 92, 93, 94, 95, 96
支持 GSM 功耗標(biāo)準(zhǔn)，包括Clock Stop 模式