產(chǎn)品詳情：

一、產(chǎn)品概述
RDM-900S01 超高頻讀寫模塊為我公司自主研發(fā)，采用業(yè)內(nèi)最具性價(jià)比的超高頻專用射頻芯片PR9200而設(shè)計(jì)。國內(nèi)首家把載波泄漏校準(zhǔn)技術(shù)和自動(dòng)校準(zhǔn)算法運(yùn)用于PR9200，從而使得模塊具有更遠(yuǎn)的讀寫距離和更強(qiáng)的多標(biāo)簽識(shí)別性能，同時(shí)具有更強(qiáng)的環(huán)境適應(yīng)能力。模塊輸出功率范圍為18～26dBm。具有杰出的標(biāo)簽讀取距離，小型陶瓷天線穩(wěn)定識(shí)別距離2～3.5米。8dBi圓極化天線穩(wěn)定識(shí)別距離大于10米。12dBi線極化天線穩(wěn)定識(shí)別距離大于15米。
RDM-900S01 超高頻讀寫模塊可應(yīng)用于超高頻手持機(jī)、超高頻手持平板、超高頻發(fā)卡器、超高頻一體機(jī)以及需要嵌入小型超高頻模塊的打印終端。
二、產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
? 核心芯片采用最具性價(jià)比PR9200 芯片
模塊基于業(yè)內(nèi)最具性價(jià)比的超高頻專用芯片PR9200而設(shè)計(jì)。
? PR9200芯片性能100%發(fā)揮
市場同類模塊僅發(fā)揮PR9200芯片60%左右的性能。國內(nèi)首家把載波泄漏校準(zhǔn)技術(shù)與PR9200相結(jié)合，可發(fā)揮PR9200芯片100%的性能。模塊性能可與韓國PHYCHIPS原廠模塊相媲美。
? 國內(nèi)首家運(yùn)用載波泄漏校準(zhǔn)技術(shù)于PR9200
國內(nèi)首家把載波泄漏校準(zhǔn)技術(shù)和自動(dòng)校準(zhǔn)算法應(yīng)用于PR9200。應(yīng)用載波泄漏校準(zhǔn)技術(shù)后，與市場同類模塊相比具有更遠(yuǎn)的讀寫性能和更強(qiáng)的多標(biāo)簽性能。
? 杰出的讀標(biāo)簽性能
標(biāo)簽識(shí)別靈敏，穩(wěn)定。小型陶瓷天線穩(wěn)定識(shí)別距離2～3.5米。8dBi圓極化天線穩(wěn)定識(shí)別距離大于10米。12dBi線極化天線穩(wěn)定識(shí)別距離大于15米。
? 多標(biāo)簽讀取能力強(qiáng)
采用先進(jìn)的防碰撞算法以及運(yùn)用載波泄漏校準(zhǔn)技術(shù)，每秒可讀取100張以上標(biāo)簽。
? 高效率DCDC給PA獨(dú)立供電，徹底解決發(fā)熱問題
高效率DCDC電源給PA獨(dú)立供電，以及屏蔽殼內(nèi)部自帶導(dǎo)熱硅膠散熱片，無需外接任何散熱裝置，徹底解決發(fā)熱問題。室溫下長期連續(xù)滿負(fù)荷工作不發(fā)熱。平均工作電流小于260mA@26dBm Output（5V Power Supply）。峰值脈沖電流小于340mA@26dBm Output（5V Power Supply）。
? 極佳的穩(wěn)定性
24小時(shí)×365天工作不死機(jī)。性能受外殼，電磁環(huán)境等外界影響小。寬溫設(shè)計(jì)，溫漂系數(shù)極低。
? 優(yōu)秀的一致性
一致性設(shè)計(jì)的典范之作。全部選用最高等級(jí)的元器件，保證各項(xiàng)參數(shù)穩(wěn)定一致。
? 簡潔高效的軟硬件接口
單電源供電，無需外接鉭電容，模塊即可正常工作，外圍電路極其簡單。
? 同時(shí)支持兩種安裝方法
支持IPEX射頻連接器+1.27mm間距接線端子的安裝方法。同時(shí)支持表面貼裝焊接。
? 超薄小型化
模塊尺寸：40.5mm×32mm×3mm，與市場同類產(chǎn)品相比，尺寸更小，厚度更薄。