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智能溫度傳感芯片中Δ-Σ調(diào)制器的設計
作者:RFID世界網(wǎng) 收編
來源:電子技術(shù)應用2011年第2期
日期:2011-04-22 09:43:40
摘要:從模數(shù)轉(zhuǎn)換的基本理論出發(fā), 在對一階Δ-Σ調(diào)制器原理深入解析的基礎上,得到Δ-Σ ADC動態(tài)輸入范圍的計算方法。利用Matlab simulink 建立了二階Δ-Σ調(diào)制器系統(tǒng)模型,對調(diào)制器電路進行仿真和參數(shù)優(yōu)化,對其性能進行了有效評估。使用軌對軌折疊式共源共柵運算放大器作為調(diào)制器的積分器,增大了調(diào)制器的動態(tài)輸入范圍;設計的高速比較器將NMOS 負載管交叉耦合從放大器輸出端引入正反饋,提高了轉(zhuǎn)換速度。設計實現(xiàn)了一款適用于14 bit溫度轉(zhuǎn)換芯片的二階△-∑調(diào)制器,信噪比SNR可達87 dB。
傳統(tǒng)的A/D、D/A轉(zhuǎn)換器常采用單純的電阻網(wǎng)絡設計,其優(yōu)點是對采樣率要求不高。由于A/D轉(zhuǎn)換器精度的提高,傳統(tǒng)的轉(zhuǎn)換器在深亞微米工藝下很難實現(xiàn)。Σ-ΔADC是一種基于由Inose和Yasuda在1962年提出的Σ-Δ噪聲整形技術(shù)的過采樣型A/D轉(zhuǎn)換器,通過速度換取精度, 降低了對電路性能的要求, 是實現(xiàn)高精度ADC的一種有效方式[1]。由于Σ-Δ調(diào)制器具有的噪聲整形作用,現(xiàn)代集成微加速度計越來越多采用Σ-Δ調(diào)制器來實現(xiàn)一個模數(shù)轉(zhuǎn)換過程,實現(xiàn)數(shù)字信號輸出是未來智能傳感器必備的條件之一[2]。
1 一階Δ-Σ調(diào)制器的分析
圖1所示為一階積分電路,在輸入和反饋通道上加入增益環(huán)節(jié),同時也避免了Δ-Σ調(diào)制器模型積分器飽和現(xiàn)象的發(fā)生。這里采用反相積分器,clk1與clk2為一對非重疊時鐘脈沖,clk1d為clk1 delay時鐘,Vcm為虛地。若不考慮反饋,在clk1時,采樣電容C1上的電荷為Q1=C1×Vin,當clk2積分相到來時,積分電容C3上的電荷量是Q2=C3×(Vcm-Vout)。
如圖2所示,為二階Δ-Σ調(diào)制器模型。模型包括:信號源sin wave、增益模塊gain、單位延遲積分unit delay、比較器relay、頻譜分析模塊B-FFT。相對于非延時積分器,采用延時積分器的一個很大的好處在于運放不
圖3為本文設計的二階Δ-Σ調(diào)制器的具體電路框圖。由開關(guān)電容積分器、鎖存比較器和1位D/A組成。表1表述了該電路的時序工作狀態(tài)。當nT時刻clk1導通時,第一級積分器的采樣電容C1對Vin(nT)電壓采樣,此時,第二級積分器采樣電容C4對Vo1[(n-1)T]進行采樣,鎖存比較器將數(shù)據(jù)QB[(n-2)T]輸出。當clk2導通時,第一級積分器積分,得到Vo1(nT),第二級積分器積分得到Vo2[(n-1)T],同時鎖存比較器對積分輸出電壓Vo2[(n-1)T]進行比較,得到Q(n-1),計數(shù)器輸入數(shù)據(jù)QB[(n-2)T]。當(n+1)T時刻,clk1導通時,C1對Vin[(n+1)T]采樣,C4則對Vo1(nT)采樣;鎖存比較器將數(shù)據(jù)QB[(n-1)T]輸出;clk2導通時,第一級積分器積分,得到Vo1[(n+1)T],第二級積分器積分得到Vo2(nT),同時鎖存比較器對積分輸出電壓Vo2(nT)進行比較,得到Q(n),計數(shù)器輸入數(shù)據(jù)QB[(n-1)T]。由此可知,從信號輸入到調(diào)制器輸出QB,信號延遲了兩個周期。
3 二階Δ-Σ A/D調(diào)制器的仿真
CMOS溫度傳感模塊將溫度信號轉(zhuǎn)換成與之對應的電壓信號,并經(jīng)過電平移位,增強其驅(qū)動能力。轉(zhuǎn)換得到的電壓信號進入二階Δ-Σ調(diào)制器,鎖存比較器得到的數(shù)字信號再進入14 bit計數(shù)器進行計數(shù)。靜態(tài)仿真波形如圖4,在25 ℃下,溫度傳感模塊輸出電壓經(jīng)過電平移位后VTOUT=2.6 V,即為二階Δ-Σ調(diào)制器的輸入。
智能溫度傳感芯片集成了帶隙基準電壓電路、偏置電路和控制時鐘產(chǎn)生電路等外圍模塊。利用Matlab simulink對二階Δ-Σ調(diào)制模塊進行建模、仿真和參數(shù)設定;采用軌對軌折疊式共源共柵放大器增大信號輸入范圍;并利用正反饋的高速鎖存比較器,提高了轉(zhuǎn)換速度。應用Cadence和HSpice仿真工具對系統(tǒng)進行了仿真,并從仿真結(jié)果來看,其信噪比為 82 dB,精度可以達到14 bit,測溫動態(tài)范圍為-50 ℃~150 ℃。在完成電路設計的基礎上,應用Cadence的Vituoso Layout Editor完成了系統(tǒng)的所有版圖設計,通過了基本的版圖驗證,證明其符合生產(chǎn)流片的要求,并進行樣片的生產(chǎn),已經(jīng)成功流片和測試。
參考文獻
[1] YAO L,STEYAERT M,SANSEN W.A 1 V 140 uW 88 dB audio sigma delta modulator in 90 nm CMOS[J].IEEE Journal of Solid-state Circits,2004,39(11):1182-1817.
[2] HORN G V D,HUIJSING J H.Integrated smart sensor calibration[J].Analog Integrated Circuits and Signal Processing,1997,14:207-222.
[3] David A Johns,Ken Matin著模擬集成電路設計[M].曾朝陽譯.機械工業(yè)出版社.2005:283-288.
[4] Amourah Mezyad M,Geiger Raudall L.A High Gain Stategies Using Positive-feedback Gain Enhancement Technique,Circuit and Sustems [C].2001.ISCAS.The 2001 IEEE International Symposium on,2001:631-634.
1 一階Δ-Σ調(diào)制器的分析
圖1所示為一階積分電路,在輸入和反饋通道上加入增益環(huán)節(jié),同時也避免了Δ-Σ調(diào)制器模型積分器飽和現(xiàn)象的發(fā)生。這里采用反相積分器,clk1與clk2為一對非重疊時鐘脈沖,clk1d為clk1 delay時鐘,Vcm為虛地。若不考慮反饋,在clk1時,采樣電容C1上的電荷為Q1=C1×Vin,當clk2積分相到來時,積分電容C3上的電荷量是Q2=C3×(Vcm-Vout)。
如圖2所示,為二階Δ-Σ調(diào)制器模型。模型包括:信號源sin wave、增益模塊gain、單位延遲積分unit delay、比較器relay、頻譜分析模塊B-FFT。相對于非延時積分器,采用延時積分器的一個很大的好處在于運放不
圖3為本文設計的二階Δ-Σ調(diào)制器的具體電路框圖。由開關(guān)電容積分器、鎖存比較器和1位D/A組成。表1表述了該電路的時序工作狀態(tài)。當nT時刻clk1導通時,第一級積分器的采樣電容C1對Vin(nT)電壓采樣,此時,第二級積分器采樣電容C4對Vo1[(n-1)T]進行采樣,鎖存比較器將數(shù)據(jù)QB[(n-2)T]輸出。當clk2導通時,第一級積分器積分,得到Vo1(nT),第二級積分器積分得到Vo2[(n-1)T],同時鎖存比較器對積分輸出電壓Vo2[(n-1)T]進行比較,得到Q(n-1),計數(shù)器輸入數(shù)據(jù)QB[(n-2)T]。當(n+1)T時刻,clk1導通時,C1對Vin[(n+1)T]采樣,C4則對Vo1(nT)采樣;鎖存比較器將數(shù)據(jù)QB[(n-1)T]輸出;clk2導通時,第一級積分器積分,得到Vo1[(n+1)T],第二級積分器積分得到Vo2(nT),同時鎖存比較器對積分輸出電壓Vo2(nT)進行比較,得到Q(n),計數(shù)器輸入數(shù)據(jù)QB[(n-1)T]。由此可知,從信號輸入到調(diào)制器輸出QB,信號延遲了兩個周期。
3 二階Δ-Σ A/D調(diào)制器的仿真
CMOS溫度傳感模塊將溫度信號轉(zhuǎn)換成與之對應的電壓信號,并經(jīng)過電平移位,增強其驅(qū)動能力。轉(zhuǎn)換得到的電壓信號進入二階Δ-Σ調(diào)制器,鎖存比較器得到的數(shù)字信號再進入14 bit計數(shù)器進行計數(shù)。靜態(tài)仿真波形如圖4,在25 ℃下,溫度傳感模塊輸出電壓經(jīng)過電平移位后VTOUT=2.6 V,即為二階Δ-Σ調(diào)制器的輸入。
智能溫度傳感芯片集成了帶隙基準電壓電路、偏置電路和控制時鐘產(chǎn)生電路等外圍模塊。利用Matlab simulink對二階Δ-Σ調(diào)制模塊進行建模、仿真和參數(shù)設定;采用軌對軌折疊式共源共柵放大器增大信號輸入范圍;并利用正反饋的高速鎖存比較器,提高了轉(zhuǎn)換速度。應用Cadence和HSpice仿真工具對系統(tǒng)進行了仿真,并從仿真結(jié)果來看,其信噪比為 82 dB,精度可以達到14 bit,測溫動態(tài)范圍為-50 ℃~150 ℃。在完成電路設計的基礎上,應用Cadence的Vituoso Layout Editor完成了系統(tǒng)的所有版圖設計,通過了基本的版圖驗證,證明其符合生產(chǎn)流片的要求,并進行樣片的生產(chǎn),已經(jīng)成功流片和測試。
參考文獻
[1] YAO L,STEYAERT M,SANSEN W.A 1 V 140 uW 88 dB audio sigma delta modulator in 90 nm CMOS[J].IEEE Journal of Solid-state Circits,2004,39(11):1182-1817.
[2] HORN G V D,HUIJSING J H.Integrated smart sensor calibration[J].Analog Integrated Circuits and Signal Processing,1997,14:207-222.
[3] David A Johns,Ken Matin著模擬集成電路設計[M].曾朝陽譯.機械工業(yè)出版社.2005:283-288.
[4] Amourah Mezyad M,Geiger Raudall L.A High Gain Stategies Using Positive-feedback Gain Enhancement Technique,Circuit and Sustems [C].2001.ISCAS.The 2001 IEEE International Symposium on,2001:631-634.