在第七屆EEVIA年度中國ICT媒體論壇暨2018產業(yè)和技術展望研討會上，富士通電子元器件產品管理部總監(jiān)馮逸新就富士通對非易失性存儲器的策略以及創(chuàng)新方向為大家做了分享?！癋RAM(鐵電存儲器)用于數據記錄;NRAM(碳納米管存儲)用于數據記錄和電碼儲存, 還可替代NOR Flash;ReRAM(電阻式記憶體)可替代大容量EEPROM?！?/div>
05/02
富士通半導體(上海)有限公司今日宣布其FerVID家族推出用于RFID標簽的一款新的芯片-MB89R112。該芯片用于高頻RFID標簽，帶9KB的FRAM內存。FerVID家族產品使用鐵電存儲器(FRAM)，具有寫入速度快，高頻可重寫，耐輻射，低功耗操作等特點。新品樣片2012年8月起批量供貨。
08/01
5月1日至5月3日的Interphex2012展會上,富士通與其它一些合作公司著重展示了其使用鐵電存儲器技術（FRAM）的創(chuàng)新RFID解決方案。
05/08
“鐵電存儲器(F-RAM)的讀寫操作類似RAM存儲器。它可以保存數據長達20年；同時也解決了EEPROM和其他非易失性存儲器存在的復雜性、成本高和系統(tǒng)可靠性的難題?！?/div>
03/10
在林林總總的非易失性存儲器市場，如閃存、EEPROM、MRAM、非易失性RAM、相變存儲器、SSD和移動硬盤等，鐵電存儲器(F-RAM)可能是最不起眼的一種。由于價格貴、容量小和應用市場窄，F(xiàn)-RAM的市場一直做不大。
12/20
世界領先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導體產品開發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation 和全球領先的高性能模擬IC設計商與生產商奧地利微電子公司(austriamicrosystems)宣布提供用于評測第三代數據豐富自動識別應用的MaxArias無線存儲器套件。
11/18
近日，非揮發(fā)性鐵電存儲器 (FRAM) 供應商 Ramtron International Corp 推出了 FRAM MaxArias 無線內存設備的商業(yè)樣品，新增行動數據收集功能
07/29
Ramtron公司(Ramtron International Corp.)，作為一家非揮發(fā)性鐵電存儲器(FRAM)供應商，日前已經與IBM公司的微電子集團達成了一項關于代工服務的協(xié)議。
02/16
昨日，日本富士通公司發(fā)布世界上首枚內存為 64千字節(jié)的超高頻 RFID標簽。
01/10
富士通的鐵電存儲器智能卡IC將被應用于最新遙控智能卡中
03/04
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