中國上海， 2008年11月21日——恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors，由飛利浦創(chuàng)建的獨立半導(dǎo)體公司）擴張其業(yè)界領(lǐng)先的RF Power 晶體管產(chǎn)品線，近日推出最新的針對L波段雷達應(yīng)用的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，以下簡稱LDMOS）晶體管，該晶體管在1.2GHz到1.4GHz的頻率之間帶來達500W的突破性的RF輸出功率。 

針對L波段雷達應(yīng)用的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體

　　針對大范圍的L波段雷達應(yīng)用，恩智浦的LDMOS L波段RF功率晶體管設(shè)置了新的效率標(biāo)準(zhǔn)（漏極效率大于50%）、增益（17dB）和達500W的耐用度。 

　　恩智浦半導(dǎo)體RF功率產(chǎn)品線全球產(chǎn)品市場經(jīng)理Mark Murphy表示：“作為首個推出L波段和S波段應(yīng)用的LDMOS的公司，恩智浦高效LDMOS RF功率晶體管產(chǎn)品線建立了一個嶄新的業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)，為我們的客戶提供市場上表現(xiàn)最優(yōu)異和最耐用的晶體管。RF輸出功率達到500W這個突破，是恩智浦通力合作、貼近客戶需求的結(jié)果，使我們推出了可縮短上市時間的易于進行設(shè)計導(dǎo)入的晶體管。 

　　恩智浦L波段RF晶體管(BLL6H1214-500)的主要表現(xiàn)參數(shù)包括：
　　●500W峰值輸出功率（在1.4GHz,100µs脈沖寬度，25%占空比時） 
　　●17dB增益 
　　●50%漏極效率 
　　●更佳耐用度 
　　●能夠承受高達5dB的過驅(qū)動能力 
　　●更佳脈沖頂降 （低于0.2dB） 
　　●供電電壓50V 
　　●無毒封裝、符合ROHS標(biāo)準(zhǔn)  
 
　　恩智浦的這款器件結(jié)合了雙極管的功率密度和適用于L波段雷達設(shè)計的LDMOS技術(shù)優(yōu)勢，其環(huán)保的陶瓷封裝，可與BeO封裝互相替代。 

上市時間 

　　恩智浦BLL6H1214-500 LDMOS L波段RF功率晶體管將很快上市。更多恩智浦BLL6H1214-500的資訊可訪問http://www.nxp.com/pip/BLL6H1214-500_PL_1.html.    

　　欲了解更多恩智浦業(yè)界領(lǐng)先的第六代LDMOS技術(shù)，請訪問：http://www.nxp.com/experience_rfpower  
 

關(guān)于恩智浦半導(dǎo)體

　　恩智浦是飛利浦在50多年前創(chuàng)建的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司。公司總部位于歐洲,在全球超過20個國家擁有33,500名員工，2007年公司營業(yè)額達到63億美元(包括手機及個人移動通信業(yè)務(wù))。恩智浦提供半導(dǎo)體、系統(tǒng)解決方案和軟件,為電視、機頂盒、智能識別應(yīng)用、手機、汽車以及其他廣泛的電子設(shè)備提供更好的感知體驗。關(guān)于更多恩智浦的新聞,請參觀網(wǎng)站www.nxp.com。