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美國保爾佳開發(fā)出n型有機TFT電子遷移率達(dá)0.85cm2Vs的材料
作者:吉澤 惠
來源:技術(shù)在線
日期:2009-02-12 13:00:35
摘要:生產(chǎn)柔性印刷電路材料的美國保爾佳(Polyera)開發(fā)出了n型有機TFT的電子遷移率最大可實現(xiàn)0.85cm2/Vs的有機半導(dǎo)體材料(新聞發(fā)布)。主要面向柔性顯示器和RFID標(biāo)簽的驅(qū)動元件。
生產(chǎn)柔性印刷電路材料的美國保爾佳(Polyera)開發(fā)出了n型有機TFT的電子遷移率最大可實現(xiàn)0.85cm2/Vs的有機半導(dǎo)體材料(新聞發(fā)布)。所開發(fā)的材料名為“ActivInk N2200”,與德國巴斯夫(BASF)子公司BASF Future Business GmbH共同開發(fā)而成。主要面向柔性顯示器和RFID標(biāo)簽的驅(qū)動元件。
要實現(xiàn)使用有機半導(dǎo)體的CMOS電路,有必要提高p型及n型有機TFT的電子遷移率。保爾佳表示,n型有機TFT的開發(fā)晚于p型有機TFT的開發(fā)。
由于此次開發(fā)的材料相對于有機溶媒的最大溶解度高達(dá)60g/l,因此可用作墨水。此次,除旋涂法外,還可以利用凹版印刷、凸版印刷及噴墨印刷等在塑料底板上形成半導(dǎo)體層和介電體層,制成頂部柵極型有機TFT。采用旋涂法制作時,TFT的遷移率為0.1~0.8cm2/Vs,采用凹版印刷時為0.1~0.5cm2/Vs,采用噴墨時最大為0.15cm2/Vs。據(jù)美國路透社(Reuters)報道,除塑料外,還可以印刷在紙上。此外,在試制的CMOS逆變器電路中,電路增益為25~65。
另外,以上的成果刊登在09年1月21日的“Nature”網(wǎng)絡(luò)版以及09年2月5日發(fā)行的《Nature》雜志上。(記者:吉澤 惠)
要實現(xiàn)使用有機半導(dǎo)體的CMOS電路,有必要提高p型及n型有機TFT的電子遷移率。保爾佳表示,n型有機TFT的開發(fā)晚于p型有機TFT的開發(fā)。
由于此次開發(fā)的材料相對于有機溶媒的最大溶解度高達(dá)60g/l,因此可用作墨水。此次,除旋涂法外,還可以利用凹版印刷、凸版印刷及噴墨印刷等在塑料底板上形成半導(dǎo)體層和介電體層,制成頂部柵極型有機TFT。采用旋涂法制作時,TFT的遷移率為0.1~0.8cm2/Vs,采用凹版印刷時為0.1~0.5cm2/Vs,采用噴墨時最大為0.15cm2/Vs。據(jù)美國路透社(Reuters)報道,除塑料外,還可以印刷在紙上。此外,在試制的CMOS逆變器電路中,電路增益為25~65。
另外,以上的成果刊登在09年1月21日的“Nature”網(wǎng)絡(luò)版以及09年2月5日發(fā)行的《Nature》雜志上。(記者:吉澤 惠)