美國NASA(美國宇航局)格倫研究中心研制出一種新型的納米離子射頻(RF)開關，非常適用于依賴低功率RF傳輸?shù)脑O備，如汽車系統(tǒng)、RFID技術以及智能手機等。這些開關能夠以半導體開關的速度運行，并且相比MEMS開關可靠性更高，同時具有MEMS開關所具備的優(yōu)異的RF性能和低功耗優(yōu)勢，而且無需更高的運行電壓。

　　這款可逆的電化學開關相比微機械開關的優(yōu)勢包括：無揮發(fā)性、無可能失效的可動部件、方便且高效的開關切換以及易于制造。

　　納米離子開關的原理：陽極產(chǎn)生離子，并遷移形成固態(tài)電解質，當在兩極施加一個正偏置電壓時，負極會逸出電子，從而在正負極之間生長金屬納米線。一旦納米線生長到在兩極之間形成導電通路，則開關閉合，不像MEMS或基于半導體技術的開關，此時便不再需要電能來維持聯(lián)接。而聯(lián)接的過程很容易通過施加一個負偏置電壓而逆轉，使納米線移除從而實現(xiàn)開關打開。聯(lián)接和斷開的過程大約僅需1納秒。

　　納米離子材料可以通過這種方式沉積從而形成多層控制電路，能夠潛在的縮小電路尺寸，降低整體電路損耗，并簡化集成。這款開關比MEMS開關(50-60V)，其供電電壓僅需1V，并且，僅需采用5步傳統(tǒng)的集成電路制造工藝便可制得。