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有源射頻標(biāo)簽
  • 本文分析和設(shè)計(jì)了應(yīng)用于超高頻無源射頻標(biāo)簽的射頻接口電路，并利用0.18m工藝流片驗(yàn)證。根據(jù)芯片測試結(jié)果，該射頻接口電路能夠在讀寫器4W等效發(fā)射功率下距讀寫器4m處為射頻標(biāo)簽芯片提供足夠的工作電壓，并且在芯片近場時(shí)能夠有效地穩(wěn)定電源電壓。解調(diào)信號(hào)基本正常可用。因此，該射頻接口電路可滿足超高頻遠(yuǎn)距離無源射頻標(biāo)簽芯片的要求，具有實(shí)用意義。
  • 進(jìn)入21世紀(jì)之后，隨著社會(huì)信息化的不斷普及與發(fā)展，嵌入式系統(tǒng)的應(yīng)用越來越廣泛。其中自備電源嵌入式系統(tǒng)由于受功耗的限制，其設(shè)計(jì)與應(yīng)用一直受到制約。一般來說，正常工作的嵌入式系統(tǒng)電流消耗在mA級(jí)，而處于休眠狀態(tài)下可以控制在μA級(jí)左右，3個(gè)數(shù)量級(jí)的能源節(jié)約對于有限的自備電源無疑具有極大的誘惑，所以這類系統(tǒng)基本上都要采用休眠激活的方案以實(shí)現(xiàn)節(jié)能，達(dá)到延長工作壽命的目的。
  • 電子標(biāo)簽可以分為有源電子標(biāo)簽(Active tag)和無源電子標(biāo)簽(Passivetag)。有源電子標(biāo)簽內(nèi)裝有電池，無源射頻標(biāo)簽沒有內(nèi)裝電池。對于有源電子標(biāo)簽來說，根據(jù)標(biāo)簽內(nèi)裝電池供電情況不同又可細(xì)分為有源電子標(biāo)簽(Active tag)和半無源電子標(biāo)簽(Semi—passive tag)。
  • 設(shè)計(jì)了一種適用于NCITS一256—1999協(xié)議的915MHz無源射頻只讀標(biāo)簽．芯片具有低功耗、高動(dòng)態(tài)范圍的特點(diǎn)．1．6V 電源電壓下模擬前端的靜態(tài)工作電流為1．6 μA，芯片正常工作所需要的最小射頻信號(hào)輸入功率為45μw．芯片在0．18μm CMOS工藝下流片驗(yàn)證，測試結(jié)果表明，芯片能夠很好地滿足設(shè)計(jì)要求．