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高隔離度
  • 本文設(shè)計了一種低插入損耗、高隔離度的全集成超寬帶CMOS射頻收發(fā)開關(guān)芯片。該電路采用深N阱體懸浮技術(shù)，在1.8V電壓供電下，該射頻開關(guān)收發(fā)兩路在0.1-1.2GHz內(nèi)的測試結(jié)果具有0.7dB的插入損耗、優(yōu)于-20dB的回波損耗以及-37dB以下的隔離度。
  • 基于傳統(tǒng)微帶線定向耦合器的方向性和耦合性，利用端口阻抗的失配效應(yīng)，設(shè)計出一種隔離度高、方向性好的改進(jìn)型耦合器。測試結(jié)果表明,改進(jìn)后定向耦合器的隔離度大大提高，在中心頻率915MHz處隔離度高達(dá)58.875dB，方向性約為45dB，能有效抑制載波泄漏到接收鏈路中，能很好地滿足902MHz～928MHz頻段RFID閱讀器收發(fā)隔離的需求。