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CMOS工藝
  • AT89C51是一種低功耗高性能的8位單片機(jī)，片內(nèi)帶有一個4k字節(jié)的Flash可編擦除只 讀存儲器(PEROM)，它采用了CMOS工藝和ATMEL公司的高密度非易失性存儲器(NURAM)技術(shù)，而且其輸出引腳和指令系統(tǒng)和MCU_51系列 單片機(jī)兼容。片內(nèi)的Flash存儲器允許在系統(tǒng)內(nèi)可改編程序或用常規(guī)的非易失性的存儲器編程器來編程。同時已具有三級程序存儲器保密的性能。
  • 工作在125或134kHz低頻(LF)或者13.56MHz高頻(HF)范圍內(nèi)的電感回路無源RFID系統(tǒng)，其工作距離僅限于大約1m的范圍。UHF RFID系統(tǒng)工作在860至960MHz以及2.4GHZ的工業(yè)科學(xué)醫(yī)療(ISM)頻段。其具有更長的工作距離，對無源標(biāo)簽而言典型工作范圍為3至10m。標(biāo)簽從閱讀器的射頻信號接收信息和工作能量。如果標(biāo)簽在閱讀器的范圍內(nèi)，就會在標(biāo)簽的天線上感應(yīng)出交變的射頻電壓。該電壓經(jīng)過整流后為標(biāo)簽提供直流(DC)電源電壓。通過調(diào)制天線端口的阻抗來實(shí)現(xiàn)標(biāo)簽對閱讀器的響應(yīng)。這樣一來，標(biāo)簽將信號反向散射給閱讀器。
  • 本文提出了基于商用0.18μm CMOS工藝的EPC Global Class-1 Generation-2 UHF RFID標(biāo)簽電路設(shè)計。
  • 功率放大器是UHF RFID系統(tǒng)的重要模塊，也是RFID系統(tǒng)中功耗最大的器件。本文采用TSMC0.18rf CMOS工藝，設(shè)計了一款用于RFID的線性功率放大器。在915 MHz頻段，最大輸出功率為17.8 dBm，飽和效率達(dá)到了40%，輸出1 dB壓縮點(diǎn)（P1dB）為15.4 dBm，其小信號增益達(dá)到了28.7 dB。
  • 隨著CMOS工藝技術(shù)的發(fā)展進(jìn)步， 如果能夠提供基于CMOS工藝的單片閱讀器將極大的降低成本， 應(yīng)用前景也將更為廣闊; 而且單片集成的閱讀器方案也符合當(dāng)前多應(yīng)用便攜式終端的發(fā)展趨勢， 為未來多應(yīng)用整合提供可能。
  • 本文討論一種采用0.35um CMOS工藝專為射頻卡設(shè)計的自反饋開關(guān)式穩(wěn)壓電路。
  • 在研究讀寫器和射頻標(biāo)簽通信過程的基礎(chǔ)上，結(jié)合EPC C1G2協(xié)議以及ISO／IEC18000．6協(xié)議， 采用VHDL語言設(shè)計出一種應(yīng)用于超高頻段的射頻標(biāo)簽數(shù)字電路。對電路的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)和模塊具體實(shí)現(xiàn)方法進(jìn)行了描述。基于0．18μm CMOS工藝標(biāo)準(zhǔn)單元庫，采用EDA工具對電路進(jìn)行了前端綜合和后端物理實(shí)現(xiàn)。給出的仿真結(jié)果表明該電路符合協(xié)議要求，綜合后的電路規(guī)模約為11000門，功耗約為35μW 。該電路可應(yīng)用于超高頻段的各種RFID標(biāo)簽的數(shù)字部分。
  • 本文給出了一個基于自主知識產(chǎn)權(quán)芯片實(shí)現(xiàn)的超寬帶窄脈沖發(fā)射電路及測試結(jié)果，通過超低功耗單片機(jī)MSP430F123控制超寬帶脈沖發(fā)射機(jī)芯片，可實(shí)現(xiàn)高速率數(shù)據(jù)的無線發(fā)射，所采用的超寬帶發(fā)射機(jī)芯片基于0.18mm CMOS工藝設(shè)計和實(shí)現(xiàn)，能夠以0~800Mpps的脈沖重復(fù)頻率產(chǎn)生寬度約為500ps的超寬帶窄脈沖信號，經(jīng)過脈沖整形電路后，信號的頻譜在500MHz~1.5GHz之間，發(fā)射功率譜密度低于-41.3dBm/MHz。
  • 設(shè)計了一種適用于NCITS一256—1999協(xié)議的915MHz無源射頻只讀標(biāo)簽．芯片具有低功耗、高動態(tài)范圍的特點(diǎn)．1．6V 電源電壓下模擬前端的靜態(tài)工作電流為1．6 μA，芯片正常工作所需要的最小射頻信號輸入功率為45μw．芯片在0．18μm CMOS工藝下流片驗(yàn)證，測試結(jié)果表明，芯片能夠很好地滿足設(shè)計要求．