美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.，紐約證券交易所：MU）今天推出了一項(xiàng)串行NAND閃存技術(shù)，使嵌入式應(yīng)用產(chǎn)品能夠靈活方便地升級(jí)存儲(chǔ)容量。美光串行NAND閃存的最低芯片密度為1Gb，這樣一來，客戶就能夠輕松地在串行NOR閃存現(xiàn)有存儲(chǔ)能力之外，以高性價(jià)比擴(kuò)展存儲(chǔ)容量；此外，美光的這款閃存還具有顯著的每數(shù)據(jù)位成本（cost-per-bit）優(yōu)勢(shì)。
　
　　美光公司NAND市場(chǎng)開發(fā)總監(jiān)Kevin Kilbuck說，“美光的串行NAND技術(shù)能提供市場(chǎng)每數(shù)據(jù)位成本最低的串行接口閃存?，F(xiàn)在有許多嵌入式應(yīng)用產(chǎn)品需要128M甚至更大的存儲(chǔ)空間，我們預(yù)計(jì)容量需求還會(huì)繼續(xù)增長(zhǎng)，這就需要在NOR閃存之外提供基于NAND技術(shù)的存儲(chǔ)解決方案?！?

　　隨著嵌入式系統(tǒng)的發(fā)展，他們需要功能更穩(wěn)健、密度更高的內(nèi)存解決方案。WiMAX設(shè)備、機(jī)頂盒、打印機(jī)以及其他工業(yè)和汽車應(yīng)用產(chǎn)品過去只用來進(jìn)行信息解碼，而這樣的時(shí)代已經(jīng)一去不復(fù)返了?，F(xiàn)在，這些設(shè)備之中有更為尖端的操作系統(tǒng)，用于管理多媒體、圖片和其他數(shù)據(jù)密集的內(nèi)容，因此也需要設(shè)備提供更大的存儲(chǔ)空間。

　　美光了解到這些應(yīng)用需求，充分利用其可靠的NAND技術(shù)，為客戶提供一套密度更高、寫入性能更優(yōu)、擴(kuò)展性更好的存儲(chǔ)解決方案，使用戶無需從頭至尾重新設(shè)計(jì)系統(tǒng)，就能擴(kuò)展其應(yīng)用產(chǎn)品的存儲(chǔ)容量。此外，美光的串行NAND技術(shù)采用與并行NAND相同的封裝類型，因此可作為一種過渡方法，幫助生產(chǎn)商在需要的時(shí)候從串行接口產(chǎn)品轉(zhuǎn)換到并行NAND接口產(chǎn)品。

美光串行NAND技術(shù)優(yōu)勢(shì)

●兼容性：與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)串行外設(shè)接口（SPI）命令集兼容。

●最大限度增強(qiáng)功能：提供所需的密度，以最大限度提高系統(tǒng)功能，降低物料成本。用戶自建的內(nèi)容直接存儲(chǔ)到設(shè)備上，無需使用單獨(dú)的NAND芯片。

●速度更快：美光的串行NAND閃存的處理速度為2.64 MB/s，寫入速度比NOR閃存（不到0.5MB/s）更快。

●簡(jiǎn)約的設(shè)計(jì)：去掉了外部卡插槽，因此降低了物料成本；并利用芯片上的糾錯(cuò)碼（ECC）來解決出廠原始NAND閃存伴生的復(fù)雜問題。

●更安全：提供了只讀區(qū)和保護(hù)性的塊鎖，以避免設(shè)備上存儲(chǔ)的內(nèi)容遭到擅自更改。

產(chǎn)品上市情況

　　美光的1Gb串行NAND技術(shù)現(xiàn)已推出試用產(chǎn)品，預(yù)計(jì)于2009年一季度投入量產(chǎn)。美光公司還計(jì)劃于2009年初推出密度更高的串行NAND閃存產(chǎn)品，容量將可達(dá)到4Gb。

關(guān)于美光公司

　　美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.）是高級(jí)半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商之一。通過全球化的運(yùn)營，美光公司制造并向市場(chǎng)推出DRAM、NAND閃存、CMOS圖像傳感器、其它半導(dǎo)體組件以及存儲(chǔ)器模塊，用于前沿計(jì)算、消費(fèi)品、網(wǎng)絡(luò)和移動(dòng)便攜產(chǎn)品。美光公司普通股代碼為MU，在紐約證券交易所交易（NYSE）。如需了解美光科技有限公司的詳細(xì)情況，請(qǐng)?jiān)L問：www.micron.com。

　　Micron（美光）、美光環(huán)繞標(biāo)志是美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.）的商標(biāo)。所有其它商標(biāo)屬其各自所有人財(cái)產(chǎn)。