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NMOS
  • 本文設(shè)計了一種低插入損耗、高隔離度的全集成超寬帶CMOS射頻收發(fā)開關(guān)芯片。該電路采用深N阱體懸浮技術(shù),在1.8V電壓供電下,該射頻開關(guān)收發(fā)兩路在0.1-1.2GHz內(nèi)的測試結(jié)果具有0.7dB的插入損耗、優(yōu)于-20dB的回波損耗以及-37dB以下的隔離度。
  • 從模數(shù)轉(zhuǎn)換的基本理論出發(fā), 在對一階Δ-Σ調(diào)制器原理深入解析的基礎(chǔ)上,得到Δ-Σ ADC動態(tài)輸入范圍的計算方法。利用Matlab simulink 建立了二階Δ-Σ調(diào)制器系統(tǒng)模型,對調(diào)制器電路進行仿真和參數(shù)優(yōu)化,對其性能進行了有效評估。使用軌對軌折疊式共源共柵運算放大器作為調(diào)制器的積分器,增大了調(diào)制器的動態(tài)輸入范圍;設(shè)計的高速比較器將NMOS 負載管交叉耦合從放大器輸出端引入正反饋,提高了轉(zhuǎn)換速度。設(shè)計實現(xiàn)了一款適用于14 bit溫度轉(zhuǎn)換芯片的二階△-∑調(diào)制器,信噪比SNR可達87 dB。